Транзистор: IGBT; 600В; 120А; 833Вт; PG-TO247-3-46

Немає в наявності
Код товару: IKQ120N60TXKSA1
658,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IKQ120N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: integrated anti-parallel diode
Заряд затвора: 703нКл
Корпус: PG-TO247-3-46
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 600В
Потужність розсіювання: 833Вт
Струм колектора: 120А
Струм колектора в імпульсі: 480А
Технологія: TRENCHSTOP™
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 76нс
Час вимкнення: 343нс
Недоступний
З`єднання: на рейку; APG; 17,5А; 500В; push-in; вемид; 26AWG÷14AWG
З`єднання: на рейку; APG; 17,5А; 500В; push-in; вемид; 26AWG÷14AWG

382,03 грн

Електричний монтаж:
push-in
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
бежевий
Матеріал корпусу:
вемид
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 2,5В; X6S; ±20%; SMD; 008004
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 2,5В; X6S; ±20%; SMD; 008004

2,78 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 180Вт; TO220-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 180Вт; TO220-3

423,85 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; 1,35кВ; 20А; 170Вт; TO247; 1,05мДж
Транзистор: IGBT; 1,35кВ; 20А; 170Вт; TO247; 1,05мДж

235,05 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
1,05мДж
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 18Вт; TO220F; Eвикл: 0,27мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 18Вт; TO220F; Eвикл: 0,27мДж

115,94 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
0,27мДж
Енергія включення:
0,47мДж
Заряд затвора:
46нКл
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3

676,00 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
308нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 1200В; 10А; 96Вт; TO247
Транзистор: IGBT; 1200В; 10А; 96Вт; TO247

128,61 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
80нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 40А; TO247-3
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 40А; TO247-3

521,41 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 30Вт; TO220FP

62,09 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT