Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AOD6B60M1
15,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AOD6B60M1
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Енергія виключення: 0,09мДж
Енергія включення: 0,12мДж
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±30В
Напруга насичення кол.-емітер: 1,7В
Напруги колектор-емітер: 600В
Потужність розсіювання: 28Вт
Струм колектора: 6А
Струм колектора в імпульсі: 18А
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 20нс
Час вимкнення: 158нс
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; 0603

3,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
47пФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 10м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 10м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR

2775,60 грн

Довжина кабелю:
10м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 6,65кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 6,65кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263

179,93 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,20 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,049мДж
Енергія включення:
0,081мДж
Заряд затвора:
9,2нКл
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

790,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 125Вт; TO263
Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 125Вт; TO263

37,38 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 62Вт; DPAK
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 62Вт; DPAK

95,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK