Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 2А; 32Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: IXBH2N250
348,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXBH2N250
Виробник: IXYS
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: високовольтний
Заряд затвора: 10,6нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 2,5кВ
Потужність розсіювання: 32Вт
Струм колектора: 2А
Струм колектора в імпульсі: 13А
Технологія: BiMOSFET™
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 310нс
Час вимкнення: 252нс
Захисна кришка; IP67; гніздо; CM; размер 14S
Захисна кришка; IP67; гніздо; CM; размер 14S

271,79 грн

Відповідність стандарту:
MIL-C-5015; VG 95342
Застосування - серія/виробник:
CM
Застосування роз’ємів:
гніздо
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Діод: TVS; 500Вт; 10В; 32,5А; односпрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 500Вт; 10В; 32,5А; односпрямована; DO214AC,SMA

5,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
9В
Корпус:
DO214AC; SMA
Конденсатор: керамічний; 4,7мкФ; 6,3ВDC; X5R
Конденсатор: керамічний; 4,7мкФ; 6,3ВDC; X5R

7,54 грн

Діелектрик:
X5R
Ємність:
4,7мкФ
Робоча напруга:
6,3В DC
Тип конденсатора:
керамічний
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 5; штекерний; промислова; прямий; проводи
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 5; штекерний; промислова; прямий; проводи

586,67 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
0,5м
Електричний монтаж:
проводи
Позиціонер; 28AWG÷14AWG; RC; 0,08÷2,5мм2
Позиціонер; 28AWG÷14AWG; RC; 0,08÷2,5мм2

3916,63 грн

Застосування - серія/виробник:
RC
Переріз проводу:
0,08...2,5мм2
Розмір проводу:
28AWG...14AWG
Супутні товари:
KNP.975263A; KNP.975263DGA
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷4мм; 12÷24ВDC; M12; IP67; 40Гц
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷4мм; 12÷24ВDC; M12; IP67; 40Гц

0,00 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...4мм
Загальна довжина:
60мм
Кількість пін:
3
Недоступний
IC: інтерфейс; буфер; LVDS; -40÷85°C; 3÷3,6В; 1,5Гбіт/с; OUT: CMOS
IC: інтерфейс; буфер; LVDS; -40÷85°C; 3÷3,6В; 1,5Гбіт/с; OUT: CMOS

330,08 грн

Вид виходу:
CMOS
Вид об'єднаної схеми:
буфер
Інтерфейс:
LVDS
Кількість приймачів:
3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 326Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 326Вт; TO247-3; H3

260,39 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; 650В; 45А; 125Вт; TO220-3; F5
Транзистор: IGBT; 650В; 45А; 125Вт; TO220-3; F5

146,98 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 48А; 300Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 48А; 300Вт; TO247-3

642,42 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 220Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 220Вт; TO247-3

251,52 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 115Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 115Вт; TO247-3

178,66 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
193нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 15А; 100Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 15А; 100Вт; TO247-3

175,49 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 230Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 230Вт; TO247-3

556,89 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
53нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT