Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 230Вт; TO247-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXYH20N120C3D1
556,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXYH20N120C3D1
Виробник: IXYS
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 53нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 1,2кВ
Потужність розсіювання: 230Вт
Струм колектора: 20А
Струм колектора в імпульсі: 88А
Технологія: GenX3™; XPT™
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 60нс
Час вимкнення: 0,22мкс
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 17,8В; 23,1А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 17,8В; 23,1А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

5,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
16В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 100V

185,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Контакт; IP67; на панель,на PCB; сплав міді; Iном: 16А; Iмакс: 16А
Контакт; IP67; на панель,на PCB; сплав міді; Iном: 16А; Iмакс: 16А

464,39 грн

Клас герметичності:
IP67
Клас горючості:
UL94V-0
Максимальний струм:
16А
Матеріал контакту:
сплав міді
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 5,1В; SMD; DO213AA; 10мкА
Діод: зенера; 500мВт; 5,1В; SMD; DO213AA; 10мкА

201,47 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
5,1В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікропроцесор ARM; ARM926; 0,9÷1,1ВDC; SMD; BGA247; 32кБSRAM
IC: мікропроцесор ARM; ARM926; 0,9÷1,1ВDC; SMD; BGA247; 32кБSRAM

501,77 грн

Вид архітектури:
ARM926
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
DBGU; FLEXCOM x8; LCD RGB 24-bit; MCI; SSC; USB x2
Кількість каналів PWM:
4
Недоступний
Sweatshorts; Size: XXXL; black; short; 320g/m2
Sweatshorts; Size: XXXL; black; short; 320g/m2

1013,05 грн

Вага:
320г/м2
Відповідність стандарту:
CE
Колір:
чорний
Матеріал:
бавовна; еластан; поліестер
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 43,2А; Idm: 120А; 417Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 43,2А; Idm: 120А; 417Вт

0,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
83нКл
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 326Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 326Вт; TO247-3; H3

260,39 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; 650В; 45А; 125Вт; TO220-3; F5
Транзистор: IGBT; 650В; 45А; 125Вт; TO220-3; F5

146,98 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 48А; 300Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 48А; 300Вт; TO247-3

642,42 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 220Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 220Вт; TO247-3

251,52 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 115Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 115Вт; TO247-3

178,66 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
193нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 15А; 100Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 15А; 100Вт; TO247-3

175,49 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1,2кВ; 40А; 197Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1,2кВ; 40А; 197Вт; TO247-3

274,96 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Заряд затвора:
310нКл
Корпус:
TO247-3