Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 43,2А; Idm: 120А; 417Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 43,2А; Idm: 120А; 417Вт
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: WNSC2M60120R6Q
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: WNSC2M60120R6Q

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 240

Крок додавання: 240

Код товару:

WNSC2M60120R6Q

Виробник:

WeEn Semiconductors

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Властивості напівпровідникових елементів:

виведення Кельвіна

Заряд затвора:

83нКл

Корпус:

TO247-4

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

-4...18В

Напруга сток-джерело:

1,2кВ

Опір в стані провідності:

93мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

417Вт

Струм стока:

43,2А

Струм стоку в імпульсі:

120А

Технологія:

SiC

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Бажані

Connector: FFC/FPC; data; gold-plated; SMT; 500mA; 50V; Slider

148,25 грн

Connector family:
data

Електричний монтаж:
SMT

Кількість пін:
30

Клас горючості:
UL94V-0

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 205кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RK73H-RT

1,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±0,5%

Імпульсна макс. напруга:
100В

Корпус - дюйм:
0603

Недоступний

Бажані

Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-503; steel; 3N; push-in; 30mΩ

391,54 грн

Type of test probe:
ICT/FCT

Вигин пружини макс.:
7мм

Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні

Діаметр наконечника:
1,8мм

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 6,34кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±1%

Імпульсна макс. напруга:
50В

Корпус - дюйм:
0201

Недоступний

Бажані

Реєстратор даних; напруги DC,струму DC,резистансу,температури

83413,69 грн

Cенсорна панель:
так

Вид вжитого дисплея:
LCD TFT 5,7"

Вид датчика температури:
Cu100; Ni100; Pt100; Pt500; Pt1000; термопара B; термопара E; термопара J; термопара K; термопара L; термопара N; термопара R; термопара T

Вимір:
напруги DC; резистансу; струму DC; температури

Недоступний