Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 50А; 600Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: IXXP50N60B3
499,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXXP50N60B3
Виробник: IXYS
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 600В
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм колектора: 50А
Струм колектора в імпульсі: 200А
Технологія: GenX3™; XPT™
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 75нс
Час вимкнення: 320нс
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 16,7В; 55,8А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 16,7В; 55,8А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

27,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
15В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 23,72В; 11,67А; односпрямована; DO219AB,SMF
Діод: TVS; 400Вт; 23,72В; 11,67А; односпрямована; DO219AB,SMF

14,76 грн

Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
20,5В
Корпус:
DO219AB; SMF
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 8кБSRAM; UQFN36; DSPIC; 0,4мм
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 8кБSRAM; UQFN36; DSPIC; 0,4мм

100,10 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; DMAC x4; PWM; watchdog
Інтерфейс:
ADC; CAN-FD; DAC; DMX; I2C x3; IrDA; JTAG; LIN; PPS; PWM; QEI x2; SENT x2; SMBus; SPI x3; UART x3
Недоступний
Tap: metric; M18; fine thread,right hand thread; 2; L: 125mm; 11mm
Tap: metric; M18; fine thread,right hand thread; 2; L: 125mm; 11mm

5262,30 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права; тонка нитка
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для некрізних отворів
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М8 "мама"; прямий; 10м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М8 "мама"; прямий; 10м; вилка; 60ВDC

1108,09 грн

Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 60ВAC; 81ВDC; 100В; 40А; -55÷85°C
Варистор: металооксидний; THT; 60ВAC; 81ВDC; 100В; 40А; -55÷85°C

18,12 грн

Енергія E10/1000мкс:
450мДж
Монтаж:
THT
Напруга варистора:
100В
Робоча напруга макс.:
60В AC; 81В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,8А; 1,25Вт; SOT23

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 60А; 230Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 60А; 230Вт; TO247-3

157,75 грн

Енергія виключення:
0,45мДж
Енергія включення:
1,85мДж
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 500Вт; TO247
Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 500Вт; TO247

216,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 110А; 385Вт; TO247-4
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 110А; 385Вт; TO247-4

389,00 грн

Енергія виключення:
0,96мДж
Енергія включення:
0,72мДж
Заряд затвора:
146нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 83А; 227Вт; Eвикл: 0,33мДж
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 83А; 227Вт; Eвикл: 0,33мДж

210,34 грн

Енергія виключення:
0,33мДж
Енергія включення:
0,24мДж
Заряд затвора:
110нКл
Напруга затвор - емітер:
±30В
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 132А; 348Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 132А; 348Вт; TO247-3

312,98 грн

Заряд затвора:
213нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±30В
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 104А; 288Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 104А; 288Вт; TO247-3

194,50 грн

Енергія виключення:
1,2мДж
Енергія включення:
1,43мДж
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 104А; 288Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 104А; 288Вт; TO247-3

176,76 грн

Енергія виключення:
1,2мДж
Енергія включення:
1,43мДж
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3