Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXGT60N60C3D1
345,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 115нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 600В
Потужність розсіювання: 380Вт
Струм колектора: 60А
Струм колектора в імпульсі: 300А
Технологія: GenX3™; PT
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 54нс
Час вимкнення: 198нс
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 38; SMT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 38; SMT; 3A; 150V

746,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
ролик
Довжина відводів:
4мм
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвикл: 0,04мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвикл: 0,04мДж

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,04мДж
Енергія включення:
0,14мДж
Заряд затвора:
9,4нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 55Вт; DPAK
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 55Вт; DPAK

134,95 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263

179,93 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,20 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,049мДж
Енергія включення:
0,081мДж
Заряд затвора:
9,2нКл
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

790,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268