Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 80А; 625Вт; TO247-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXXH80N65B4
535,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXXH80N65B4
Виробник: IXYS
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 625Вт
Струм колектора: 80А
Струм колектора в імпульсі: 430А
Технологія: GenX4™; Trench; XPT™
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 125нс
Час вимкнення: 222нс
Недоступний
Driver; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷38ВDC; Uвих: 0,6÷38ВDC; 3А
Driver; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷38ВDC; Uвих: 0,6÷38ВDC; 3А

84,26 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
0,6...38В DC
Вихідний струм:
3А
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 250V

236,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 1206

13,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; ±20%; M; 5,7x5,2x2,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; ±20%; M; 5,7x5,2x2,8мм

11,15 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
3,3мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
5,7x5,2x2,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

1,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Вимикач максимального струму; 240ВAC; Iном: 0,5А; Полюси: 1+N
Вимикач максимального струму; 240ВAC; Iном: 0,5А; Полюси: 1+N

6308,29 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60947-2
Електрична стійкість:
10000 цикли
Зовнішні розміри:
18x91x75мм
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 430кГц; Ch: 2; ±1,1÷18ВDC,2,2÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 430кГц; Ch: 2; ±1,1÷18ВDC,2,2÷36ВDC

159,66 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
25нА
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 326Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 326Вт; TO247-3; H3

260,39 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; 650В; 45А; 125Вт; TO220-3; F5
Транзистор: IGBT; 650В; 45А; 125Вт; TO220-3; F5

146,98 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 48А; 300Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 48А; 300Вт; TO247-3

642,42 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 220Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 220Вт; TO247-3

251,52 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 115Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 115Вт; TO247-3

178,66 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
193нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 15А; 100Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 15А; 100Вт; TO247-3

175,49 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 230Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 230Вт; TO247-3

556,89 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
53нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT