Транзистор: N-JFET; 40В; 175мА; 360мВт

Немає в наявності
Код товару: 2N4856UB/TR
5136,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4
Код товару: 2N4856UB/TR
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 25Ом
Потужність розсіювання: 0,36Вт
Струм стока: 175мА
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight

5,20 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
16,5мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 35; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 35; THT; straight

36,11 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD

2,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
IC: цифровий; інвертор; THT; PDIP20; 0÷85°C; туба
IC: цифровий; інвертор; THT; PDIP20; 0÷85°C; туба

707,05 грн

Вид об'єднаної схеми:
інвертор
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PDIP20
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD