Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 100В; 60А; Idm: 230А; 394Вт

Name: Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 100В; 60А; Idm: 230А; 394Вт
Brand: NEXPERIA
SKU: GAN3R2-100CBEAZ
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: GAN3R2-100CBEAZ

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 1500

Крок додавання: 1500

Код товару:

GAN3R2-100CBEAZ

Виробник:

NEXPERIA

Вид каналу:

збагачений

Вид транзистора:

HEMT

Вид упаковки:

cтрічка

Заряд затвора:

12нКл

Корпус:

WLCSP8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

-4...6В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

3,2мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

394Вт

Струм стока:

60А

Струм стоку в імпульсі:

230А

Технологія:

GaN

Тип транзистора:

N-JFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
150нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ

Технологія:
SiC

Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
105нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
5,4нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
32,8нКл

Монтаж:
SMD