Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: DN2450K4-G
Price: 38.01 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: DN2450K4-G

38,01 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DN2450K4-G

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Вид каналу:

збіднений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

TO252

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

500В

Опір в стані провідності:

10Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2,5Вт

Стандартне пакування виробника:

2000шт.

Струм стока:

0,35А

Струм стоку в імпульсі:

1А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
0,12мкКл

Корпус:
H2PAK-2

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
24,1нКл

Корпус:
PowerPAK® 1212-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
19нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
17нКл

Корпус:
VSONP8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
3,9нКл

Корпус:
VSON-CLIP8