Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; GaN; польовий; HEMT,каскодний

Немає в наявності
Код товару: GPT65C0YME
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: GPT65C0YME
Виробник: MGT BRIGHTEK
Вид транзистора: HEMT; каскодний
Вид упаковки: cтрічка
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: DFN8080
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 245мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 38Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 31А
Технологія: GaN
Тип транзистора: N-JFET / N-MOSFET
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; 35А,40,5А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; 35А,40,5А

696,91 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
14,9мм
Електричний монтаж:
PCB; THT; паяння
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 820пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 820пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,36 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
820пФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Симістор; 600В; 16А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 168А
Симістор; 600В; 16А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 168А

117,21 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,15кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В
Резистор: thick film; 2,15кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В

0,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 8А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 8А

306,64 грн

Зовнішні розміри:
28,5x10,1x12,3мм
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. струм контактів:
8А
Недоступний
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 178Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 178Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD