Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: TK8P60W,RVQ
55,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TK8P60W,RVQ
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 18,5нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 80Вт
Струм стока: 8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,5пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,6пФ
Недоступний
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPDT; MSM II; 3A/125ВAC; ON-(ON)
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPDT; MSM II; 3A/125ВAC; ON-(ON)

1427,40 грн

Виводи:
до лютування
Властивості перемикачів:
блокування від скручування
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD