1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 750В; 35А

Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 750В; 35А
Немає в наявності
Код товару: UJ4C075033K3S
756,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: UJ4C075033K3S
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: каскодний
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 37,8нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -25...25В
Напруга сток-джерело: 750В
Опір в стані провідності: 75Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 242Вт
Струм стока: 35А
Струм стоку в імпульсі: 140А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-JFET / N-MOSFET
Недоступний
Провід; Pro-Tekt; 8x16AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 100м; 328футів
Провід; Pro-Tekt; 8x16AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 100м; 328футів

55418,85 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; подвійно екранований; фольга Al-PET-Al
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(UL) TYPE CMG FT4; EN 60332-1; EN 60332-2; UL 1569; UL 2464; UL CM; VW-1
Недоступний
Резистор: thin film; 374кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 374кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,68мкФ; 250ВDC; 19x6x18,5мм; THT
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,68мкФ; 250ВDC; 19x6x18,5мм; THT

13,43 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,68мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 361кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 361кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 7,06кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 7,06кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thin film; 10кОм; 0805; 260мВт; ±0,1%; 2x1,25x0,52мм
Резистор: thin film; 10кОм; 0805; 260мВт; ±0,1%; 2x1,25x0,52мм

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷125°C

0,35 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 850В; 14А; 38Вт; TO220FP; 116нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 850В; 14А; 38Вт; TO220FP; 116нс

266,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; 35Вт; TO251A
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; 35Вт; TO251A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
TO251A
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 95А; 50Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 95А; 50Вт; TO220

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42,5нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А; 115Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А; 115Вт; TO220

231,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Модель:
ESD
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 148А; Idm: 296А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 148А; Idm: 296А; 192Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
81нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 62А; Idm: 310А; 160Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 62А; Idm: 310А; 160Вт; TO220AB

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 310Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 310Вт; TO220-3

206,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT