1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 750В; 35А

Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 750В; 35А
Немає в наявності
Код товару: UJ4C075033K3S
756,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: UJ4C075033K3S
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: каскодний
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 37,8нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -25...25В
Напруга сток-джерело: 750В
Опір в стані провідності: 75Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 242Вт
Струм стока: 35А
Струм стоку в імпульсі: 140А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-JFET / N-MOSFET
Недоступний
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 25А; 16А; Igt: 40мА; TO220F; THT
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 25А; 16А; Igt: 40мА; TO220F; THT

26,29 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 61,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 61,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 295А; 715Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 295А; 715Вт

1185,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
373нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 40А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 40А; 130Вт

197,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
26,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 43А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 43А; 200Вт; TO220AB

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
133,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,1А; Idm: 13А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,1А; Idm: 13А; 50Вт; TO220AB

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

658,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 22А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 22А; 180Вт; TO247AC

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC

352,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247AC