Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 750В

Немає в наявності
Код товару: UJ4SC075005L8S
2704,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: UJ4SC075005L8S
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: каскодний
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 164нКл
Корпус: H-PDSO-F8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -25...25В
Напруга сток-джерело: 750В
Опір в стані провідності: 12,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1153Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 588А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-JFET / N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 27мкФ; 100ВDC; Ø8x12мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 27мкФ; 100ВDC; Ø8x12мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
12мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
27мкФ
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206

12,86 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
10пФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; NO x2; синій; LED; IP66
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; NO x2; синій; LED; IP66

942,09 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас герметичності:
IP66
Недоступний
Резистор: thick film; 374Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 374Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 4mm; GKS-747; CuBe; 1.5N; screw-in; 30mΩ
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 4mm; GKS-747; CuBe; 1.5N; screw-in; 30mΩ

619,62 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 620пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 620пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Наконечник; викрутка; 2,5мм; 510°C; до паяльної станції
Наконечник; викрутка; 2,5мм; 510°C; до паяльної станції

1877,22 грн

Застосування паяльного обладнання:
до паяльної станції
Модель:
з нагрівачем
Розміри наконечника:
2,5мм
Супутні товари:
CV-5210; CV-H1-AV; MX-5210; MX-5251; MX-5270; MX-H1-AV
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD