Транзистор: N-JFET; польовий; 1мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

Name: Транзистор: N-JFET; польовий; 1мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Brand: ONSEMI
SKU: MMBF5484
Price: 10.77 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: MMBF5484

10,77 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

MMBF5484

Виробник:

ONSEMI

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

SOT23

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

-25В

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

0,225Вт

Струм вентиля:

10мА

Струм стока:

1мА

Тип транзистора:

N-JFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; RK73H; 200В

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±1%

Імпульсна макс. напруга:
400В

Корпус - дюйм:
2010

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка

Заряд затвора:
11,1нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка

Заряд затвора:
8,9нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка

Заряд затвора:
9,5нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
8,5нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
13,2нКл

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SC70; SOT323

Модель:
ESD