1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2N7002KW
20,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7002KW
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC70; SOT323
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,31А
Струм стоку в імпульсі: 1,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

5,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,9пФ
Корпус - дюйм:
0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Резистор: thin film; 390Ом; 0402; 63мВт; ±0,1%; AT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 390Ом; 0402; 63мВт; ±0,1%; AT; -55÷155°C

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 4,22Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,22Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,87 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 1A/125ВAC; 25A/28ВDC; SPDT; Поз: 2; HS
Мікроперемикач SNAP ACTION; 1A/125ВAC; 25A/28ВDC; SPDT; Поз: 2; HS

0,00 грн

Виводи:
болтове
Властивості перемикачів:
герметичний; з важелем (з роликом)
Електрична стійкість:
25000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт

200,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
0,95нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD