Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MMBFJ111
27,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMBFJ111
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -35В
Опір в стані провідності: 30Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм вентиля: 50мА
Струм стока: 20мА
Тип транзистора: N-JFET
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1А; SOT223
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1А; SOT223

7,60 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; регульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,25...13,65В
Вихідний струм:
1А
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1,25А
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1,25А

1312,09 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
1,25А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 60; THT; angled; 2x30
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 60; THT; angled; 2x30

104,54 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,8мм
Електричний монтаж:
THT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 112мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 112мА

204,00 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
112мА
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Кабель; USB 2.0; проводи,USB A вилка; 1м; чорний; Cu; Øпров: 5мм
Кабель; USB 2.0; проводи,USB A вилка; 1м; чорний; Cu; Øпров: 5мм

1275,34 грн

Будова екрану:
екранований; плівка Al
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
UL 2464; VW-1
Довжина кабелю:
1м
Недоступний
Резистор: thick film; 681кОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 681кОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
681кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 19,6кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 19,6кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,27 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт

255,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
22нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
DPAK