1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 60мА; 225мВт; SOT23; Igt: 10мА

Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 60мА; 225мВт; SOT23; Igt: 10мА
Немає в наявності
Код товару: SMMBFJ310LT1G
20,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SMMBFJ310LT1G
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -25В
Напруга сток-джерело: 25В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,225Вт
Струм вентиля: 10мА
Струм стока: 60мА
Тип транзистора: N-JFET
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 0603; 100мВт; 1,6x0,8x0,45мм
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 0603; 100мВт; 1,6x0,8x0,45мм

0,20 грн

Зовнішні розміри:
1,6x0,8x0,45мм
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Запобіжник: плавка; 6,99x32,7мм; керамічний; THT; 4А; 250ВAC; 324
Запобіжник: плавка; 6,99x32,7мм; керамічний; THT; 4А; 250ВAC; 324

516,35 грн

Виводи:
осьові
Вид запобіжника:
керамічний
Вид упаковки:
розсипний
Відповідність стандарту:
CE; CSA; UL
Недоступний
Heatsink: die-cut; U; TO220; black; L: 9.02mm; W: 21.84mm; H: 19.05mm
Heatsink: die-cut; U; TO220; black; L: 9.02mm; W: 21.84mm; H: 19.05mm

77,93 грн

Використання:
TO220
Висота:
19,05мм
Довжина:
9,02мм
Колір:
чорний
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; імпульсний,на рейці DIN; 240Вт; 24ВDC
Блок живлення: імпульсний; імпульсний,на рейці DIN; 240Вт; 24ВDC

4652,19 грн

Вид блоку живлення:
імпульсний; на рейці DIN
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
10А
Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 30В; DO41; 50нА; Ufmax: 1,5В; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 1,5Вт; 30В; DO41; 50нА; Ufmax: 1,5В; ролик,cтрічка

337,05 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
30В
Корпус:
DO41
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; ERJ14YJ; 200В
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; ERJ14YJ; 200В

2,54 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 1,15МОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,15МОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,02 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
1,15мОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5А; Idm: 20А; 4,2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5А; Idm: 20А; 4,2Вт; SOT223

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20,6нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 20А; Idm: 31,2А; 70Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 20А; Idm: 31,2А; 70Вт

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
20,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD