Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MMBFJ112
23,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMBFJ112
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -35В
Опір в стані провідності: 50Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм вентиля: 50мА
Струм стока: 5мА
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
IC: аудіопідсилювач; Pвих: 43мВт; 1,7÷1,9ВDC; Ch: 2; Клас підсил: G
IC: аудіопідсилювач; Pвих: 43мВт; 1,7÷1,9ВDC; Ch: 2; Клас підсил: G

95,03 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна потужність:
43мВт
Імпеданс:
32Ом
Кількість в наборі/упаковці:
250шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 174Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 174Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Роз’єм: живлення DC; гніздо; штекерний; роз'єм живлення; 5А; 5,5мм
Роз’єм: живлення DC; гніздо; штекерний; роз'єм живлення; 5А; 5,5мм

85,53 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Внутрішній діаметр контакту:
2,5мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 21Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 21Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

12,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Датчик: головковий перетворювач температури; 18÷30ВDC; IN: Pt100
Датчик: головковий перетворювач температури; 18÷30ВDC; IN: Pt100

5893,32 грн

Вид виходу:
2-позиційний
Вид входу:
Pt100
Властивості вимірювальних приладів:
для вибухобезпечних зон
Діапазон вимірювання температури:
-200...850°C
Зовн.розм: 88,9x98,29x96,5мм; L: 88,9мм
Зовн.розм: 88,9x98,29x96,5мм; L: 88,9мм

83026,58 грн

Довжина:
88,9мм
Зовнішні розміри:
88,9x98,29x96,5мм
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 1+N
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 1+N

627,22 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898; IEC EN 60947-2
Кількість полюсів:
1+N
Клас герметичності:
IP20
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,7А; 0,95Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,7А; 0,95Вт; SOT23

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,48А; Idm: 1,5А; 0,18Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,48А; Idm: 1,5А; 0,18Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 130Вт

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; 125Вт

206,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,5А; Idm: 32А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,5А; Idm: 32А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO252AA