Транзистор: N-JFET; польовий; 8мА; 0,25Вт; SOT23; Igt: 50мА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSR58
20,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSR58
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 60Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,25Вт
Струм вентиля: 50мА
Струм стока: 8мА
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 11; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 11; THT; 3A; vertical; 2.54mm

58,29 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
11
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 21; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 21; SMT; straight

79,83 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
15,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Connector: RJ45; socket; data transfer; PIN: 8; Cat 5; shielded
Connector: RJ45; socket; data transfer; PIN: 8; Cat 5; shielded

134,95 грн

Connector family:
data transfer
Електричний монтаж:
THT
Категорія Ethernet:
Cat 5
Кількість пін:
8
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 3В; SMD; SOD123; одиночний діод
Діод: зенера; 500мВт; 3В; SMD; SOD123; одиночний діод

25,98 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3В
Корпус:
SOD123
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; 0402; 62,5мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 15кОм; 0402; 62,5мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C

6,40 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
15кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJU08F
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJU08F

1,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 243кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 243кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

1,68 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8