Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 1,4А; 86Вт; D2PAK,TO263; 900нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA1R4N120P-TRL
176,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXTA1R4N120P-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 24,8нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 10,5Ом
Потужність розсіювання: 86Вт
Струм стока: 1,4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 900нс
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",RJ45 вилка; 5м
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",RJ45 вилка; 5м

5281,94 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Категорія Ethernet:
Cat 5e
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 76,8кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thick film; 47,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 47,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 120мкГн; 80мА; R: 5,26Ом; ±20%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 120мкГн; 80мА; R: 5,26Ом; ±20%; LQH

5,13 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
120мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 1.5A

134,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
3мм
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 23; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 23; THT; straight

38,65 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
29мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO263