Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 195А; 880Вт; автомобільна галузь

Немає в наявності
Код товару: IMCQ120R010M2HXTMA1
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 750
Крок додавання: 750
Код товару: IMCQ120R010M2HXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 150,1нКл
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -7...23В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 10мОм
Потужність розсіювання: 880Вт
Струм стока: 195А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Patch cord; Cat 5; RJ45 вилка,RJ45 кутова вилка права; 1,7м
Patch cord; Cat 5; RJ45 вилка,RJ45 кутова вилка права; 1,7м

3137,99 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Резистор: thin film; 54,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 54,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 215Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 215Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

1,75 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 2,61Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,61Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
2,61Ом
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 5
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 5

1225,29 грн

Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; steel; 3N; push-in; 30mΩ
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; steel; 3N; push-in; 30mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Резистор: thick film; 39кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 39кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

15,21 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6