Транзистор: N-MOSFET; 1,5кВ; 4А; 280Вт; D3PAK,TO268; 900нс

Немає в наявності
Код товару: IXTT4N150HV-TRL
1475,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 400
Крок додавання: 400
Код товару: IXTT4N150HV-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 44,5нКл
Корпус: D3PAK; TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 1,5кВ
Опір в стані провідності: 6Ом
Потужність розсіювання: 280Вт
Струм стока: 4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 900нс
Підставка: інтегровані схеми; PIN: 40; Растр: 2,54мм; луджений
Підставка: інтегровані схеми; PIN: 40; Растр: 2,54мм; луджений

70,32 грн

Кількість пін:
40
Клас горючості:
UL94V-0
Матеріал контакту:
сплав міді
Покриття контакту:
луджений
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

15,65 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 1,35А; Iмакс: 40А; MF-RX/72
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 1,35А; Iмакс: 40А; MF-RX/72

21,54 грн

Вид упаковки:
котушка
Застосування запобіжників:
стандартні застосування
Максимальна напруга:
72В
Максимальний струм:
40А
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; Inom: 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; Inom: 3A

920,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
6,35мм
Електричний монтаж:
Press-Fit; THT
Недоступний
Перфоратор; Ø: 29мм; для вирубки; Дов.інструмента: 175мм
Перфоратор; Ø: 29мм; для вирубки; Дов.інструмента: 175мм

959,20 грн

Використання інструментів:
для вирубки
Діаметр стержня:
29мм
Довжина інструмента:
175мм
Тип інструмента:
перфоратор
Недоступний
Резистор: thick film; 422Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 422Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6