Транзистор: N-MOSFET; 100В; 140А; 600Вт; D3PAK,TO268; 120нс

Немає в наявності
Код товару: IXTT140N10P-TRL
383,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 400
Крок додавання: 400
Код товару: IXTT140N10P-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 155нКл
Корпус: D3PAK; TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 11мОм
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм стока: 140А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 120нс
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Конденсатор: електролітичний; THT; 1мФ; 50ВDC; Ø16x25мм; ±20%; LE
Конденсатор: електролітичний; THT; 1мФ; 50ВDC; Ø16x25мм; ±20%; LE

20,78 грн

Висота:
25мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1мФ
Диференційний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 30мА; Полюси: 3+N; IP20
Диференційний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 30мА; Полюси: 3+N; IP20

4708,57 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Диференціальний струм:
30мА
Кількість полюсів:
3+N
Реактор: дротяний; SMD; 90нГн; R: 125мкОм; ±10%; 98А; ферит; 12мм
Реактор: дротяний; SMD; 90нГн; R: 125мкОм; ±10%; 98А; ферит; 12мм

83,00 грн

Висота:
12мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
90нГн
Матеріал стержня:
ферит
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 4x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 4x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

4620,51 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(UL) TYPE CMG FT4; UL 2464; UL CMG
Single socket; 250VAC; 16A; for DIN rail mounting; ACTI9
Single socket; 250VAC; 16A; for DIN rail mounting; ACTI9

1032,06 грн

Модель роз’єму:
Schuko; тип F
Монтаж:
на шину DIN
Номінальна напруга:
250В AC
Номінальний струм:
16А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 470пФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; 470пФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0201

0,19 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
0,47нФ
Корпус - дюйм:
0201
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26