Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: CSD13381F4T
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD13381F4T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PICOSTAR3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 12В
Опір в стані провідності: 0,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 2,1А
Струм стоку в імпульсі: 7А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: IDC; male; data; PIN: 30; SEK Low Profile; straight; THT
Connector: IDC; male; data; PIN: 30; SEK Low Profile; straight; THT

127,34 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,9мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Роз’єм: M12; термінатор; PIN: 6; штекерний; промислова; IP67
Роз’єм: M12; термінатор; PIN: 6; штекерний; промислова; IP67

738,72 грн

Alias:
MSA05L0-6p* 4-5R
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
6
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±2÷22ВDC,4÷44ВDC; DIP14
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±2÷22ВDC,4÷44ВDC; DIP14

449,82 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,2мВ
Діапазон напруги живлення:
± 2...22В DC; 4...44В DC
Недоступний
Провід; JZ-600; JZ; 12G2,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu; тросик
Провід; JZ-600; JZ; 12G2,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu; тросик

690,57 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 32МГц; I2C,IrDA,PWM,SPI,UART; THT
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 32МГц; I2C,IrDA,PWM,SPI,UART; THT

241,38 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
I2C; IrDA; PWM; SPI; UART
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; THT; 3A; 100V

139,38 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; 2,9А; Idm: 11,4А; 1,4Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; 2,9А; Idm: 11,4А; 1,4Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD