Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А; Idm: 1200А; 375Вт; HSOF-8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPT020N10N3
437,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 8
Код товару: IPT020N10N3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 156нКл
Корпус: HSOF-8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 2мОм
Потужність розсіювання: 375Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 300А
Струм стоку в імпульсі: 1,2кА
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0603

2,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 60÷66,3В; 17,2А; двоспрямована; SMB flat; 15BJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 60÷66,3В; 17,2А; двоспрямована; SMB flat; 15BJ

12,42 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
54В
Корпус:
SMB flat
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 78; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 78; THT; straight

80,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
11,3мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 39нФ; 630ВDC; 400ВAC; 18x11x6мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 39нФ; 630ВDC; 400ВAC; 18x11x6мм

10,45 грн

Висота:
11мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
18мм
Допуск:
±10%
Викрутка: стандартний; плоскa; SL 4; 80мм
Викрутка: стандартний; плоскa; SL 4; 80мм

58,92 грн

Властивості викруток:
магнітний; протиковзке покриття рукоятки; чорнений наконечник леза
Довжина леза:
80мм
Матеріал стержня:
хром-ванадієва сталь
Розмір грота:
SL 4
Недоступний
Test probe: high current; 5A; Ø: 2mm; HSS-118; CuBe; 0.8N; push-in
Test probe: high current; 5A; Ø: 2mm; HSS-118; CuBe; 0.8N; push-in

568,93 грн

Type of test probe:
high current
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2мм
Недоступний
Tap: metric; M18; fine thread,right hand thread; 0.75; L: 80mm
Tap: metric; M18; fine thread,right hand thread; 0.75; L: 80mm

939,56 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права; тонка нитка
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD