Транзистор: N-MOSFET; 100В; 59А; 76Вт; TO252; автомобільна галузь

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AG096FPD3HRBTL
53,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 75
Код товару: AG096FPD3HRBTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 17,3нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 15,8мОм
Потужність розсіювання: 76Вт
Струм стока: 59А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Thermistor: NTC; 16Ω; Ø: 20mm; -40÷200°C; 4.9W; ±15%; THT; Ø20mm; bag
Thermistor: NTC; 16Ω; Ø: 20mm; -40÷200°C; 4.9W; ±15%; THT; Ø20mm; bag

12,73 грн

Type of thermistor:
NTC
Виводи:
прямі
Вид упаковки:
сумка
Використання:
inrush current limiting
Недоступний
Модуль автоматики: softstart; Uживл: 220÷400ВAC; на шину DIN
Модуль автоматики: softstart; Uживл: 220÷400ВAC; на шину DIN

36085,32 грн

Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Напруга живлення:
220...400В AC
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Симістор; 800В; 4А; Igt: 5/7мА; TO220F; туба; Ifsm: 30А
Симістор; 800В; 4А; Igt: 5/7мА; TO220F; туба; Ifsm: 30А

16,28 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Недоступний
Резистор: thin film; 158кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 158кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

65,26 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 65,7кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 65,7кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD