1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2N7002KT1G
11,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7002KT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,7нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 2,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,42Вт
Струм стока: 0,38А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В

1,12 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 701А; 600Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 701А; 600Вт

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerPAK® SO8
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; CRCW0201
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; CRCW0201

0,50 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 16А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 16А; PUR

1949,44 грн

Довжина кабелю:
0,5м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP69K
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 150Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

8,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Конденсатор: керамічний; 4,7пФ; 50В; C0G (NP0); SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 4,7пФ; 50В; C0G (NP0); SMD; 0603

6,91 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 48МГц; UFQFPN48; 2÷3,6ВDC; STM32F0
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 48МГц; UFQFPN48; 2÷3,6ВDC; STM32F0

153,32 грн

Вид архітектури:
Cortex M0
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
CAN; HDMI CEC; I2C x2; SPI x2; USART x4; USB
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8