Транзистор: N-MOSFET; 100В; 80А; 142Вт; TO252; автомобільна галузь

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AG194FPD3HRBTL
102,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 40
Код товару: AG194FPD3HRBTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 55нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 6,2мОм
Потужність розсіювання: 142Вт
Струм стока: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 35В; X5R; ±20%; SMD; 0402; 178мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 35В; X5R; ±20%; SMD; 0402; 178мм

0,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 2,49кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,49кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
2,49кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 312Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 312Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

2,92 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 2,94кОм; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,94кОм; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
2,94кОм
Недоступний
Амперметр; цифровий,монтажний; 4÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний
Амперметр; цифровий,монтажний; 4÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний

5874,94 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
струму DC
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,5%
Connector: wire-board; socket; female; data; Inom: 12A; 600V; PIN: 18
Connector: wire-board; socket; female; data; Inom: 12A; 600V; PIN: 18

176,13 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
18
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт

350,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
10,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD