Транзистор: N-MOSFET; 100В; 80А; 142Вт; TO252; автомобільна галузь

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RD3P08BBLHRBTL
100,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 41
Код товару: RD3P08BBLHRBTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 55нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 6,2мОм
Потужність розсіювання: 142Вт
Струм стока: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: вуглецевий; 1кОм; THT; 2Вт; ±5%; 500В; Ш0,7x35мм; осьові
Резистор: вуглецевий; 1кОм; THT; 2Вт; ±5%; 500В; Ш0,7x35мм; осьові

1,54 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
4,2мм
Довжина:
11мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резонатор; 10пФ; SMD; ESR: 40Ом; CSTNE_G; Доп: ±0,5%; 3,2x1,3x0,8мм
Резонатор; 10пФ; SMD; ESR: 40Ом; CSTNE_G; Доп: ±0,5%; 3,2x1,3x0,8мм

8,17 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Ємність:
10пФ
Імпеданс:
40Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В; -55÷155°C

5,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 111мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 111мА

146,98 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
0,111А
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Зовнішні розміри:
19,5x6x9,5мм
Недоступний
Роз’єм: HDC; контактна вкладка; штекерний; EPIC H-DD; PIN: 72; 10А
Роз’єм: HDC; контактна вкладка; штекерний; EPIC H-DD; PIN: 72; 10А

784,34 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Застосування роз’ємів:
для точених контактів
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THT; 3A; 250V

9,50 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; LED; 8,4Вт; 6÷12ВDC; 0,7А; 90÷264ВAC
Блок живлення: імпульсний; LED; 8,4Вт; 6÷12ВDC; 0,7А; 90÷264ВAC

1213,26 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
6...12В DC
Вихідний струм:
0,7А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK