Транзистор: N-MOSFET; 120В; 120А; Idm: 480А; 300Вт; D2PAK-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPB038N12N3 G
272,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 12
Код товару: IPB038N12N3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Корпус: D2PAK-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 480А
Технологія: OptiMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Тримач; Розмір гнізда-дюйм: 1/4"; HEX 1/4"; 5шт.
Тримач; Розмір гнізда-дюйм: 1/4"; HEX 1/4"; 5шт.

4147,88 грн

Вид рукоятки:
E6,3mm; універсальний
Використання інструментів:
Насадки до викруток
Кількість в наборі/упаковці:
5шт.
Розмір гнізда - дюйм:
HEX 1/4"
Недоступний
Діод: випрямний; 1,2кВ; 95А; катод на болті; E12a; M8x1,25; 1,2В
Діод: випрямний; 1,2кВ; 95А; катод на болті; E12a; M8x1,25; 1,2В

1959,58 грн

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
E12a
Монтаж:
гвинтовий
Монтажний гвинт:
M8x1,25
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1,9МГц; Ch: 1; 2,7÷5,5ВDC; SOT23-5
IC: Oпераційний підсилювач; 1,9МГц; Ch: 1; 2,7÷5,5ВDC; SOT23-5

81,73 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,75мВ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 35ВDC; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 35ВDC; X7R; ±20%; SMD; 0603

3,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
1мкФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26