Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 1,4А; 63Вт; D2PAK,TO263; 750нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA1R4N100PTRL
89,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXTA1R4N100PTRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 17,8нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 11,8Ом
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 1,4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 750нс
Connector: wire-wire; socket; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 8; 4.2mm
Connector: wire-wire; socket; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 8; 4.2mm

729,22 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
8
Колір:
чорний
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 8,5нГн; 290мА; R: 0,33Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 8,5нГн; 290мА; R: 0,33Ом; LQW; 180мм

2,76 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5nH
Індуктивність:
8,5нГн
Корпус - дюйм:
03015
Недоступний
Резистор: thick film; SMD; 1206; 4,7кОм; 250мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; SMD; 1206; 4,7кОм; 250мВт; ±1%; -55÷125°C

0,00 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,55x0,55мм
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 68; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 68; SMT; 3A; 250V

741,89 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23