Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 800мА; 60Вт; DPAK,TO252AA; 1мкс

Немає в наявності
Код товару: IXTY08N100D2-TRL
117,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IXTY08N100D2-TRL
Виробник: IXYS
Заряд затвора: 14,6нКл
Корпус: DPAK; TO252AA
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 21Ом
Потужність розсіювання: 60Вт
Струм стока: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 1мкс
Недоступний
Резистор: thin film; 499Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 499Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,43 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 12А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 12А

685,51 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
16,5мм
Відповідність стандарту:
CSA; UL; VDE
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 2,67кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 2,67кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 47,5Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 47,5Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 129Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 129Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: HDC; прямий; IP66; на панель; Han-Eco® B
Корпус для з’єднувачів: HDC; прямий; IP66; на панель; Han-Eco® B

2460,09 грн

Engineering PN:
Han-Eco 10B-HSM1-with SL-M25
Застосування - серія/виробник:
Han-Eco® B
Кількість отворів на сальнику:
1
Клас герметичності:
IP66
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26