1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; 200В; 36А; 125Вт; одиночний транзистор; ESD

Транзистор: N-MOSFET; 200В; 36А; 125Вт; одиночний транзистор; ESD
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSC320N20NS3 G
180,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 18
Код товару: BSC320N20NS3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 22нКл
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 32мОм
Потужність розсіювання: 125Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 36А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 2,4Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,62 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
2,4Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206

11,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Connector: D-Sub; PIN: 15; plug; male; data transfer; right; 3A; RDD
Connector: D-Sub; PIN: 15; plug; male; data transfer; right; 3A; RDD

423,85 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
15
Недоступний
Резистор: thin film; 845Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 845Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 2,05кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 2,05кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 0.8mm; GKS-069; CuBe; 1N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 0.8mm; GKS-069; CuBe; 1N; push-in; 20mΩ

391,54 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
2,8мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,8мм
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 71,1÷78,6В; 29,2А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 3кВт; 71,1÷78,6В; 29,2А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC

61,45 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
64В
Корпус:
DO214AB; SMC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26