Транзистор: N-MOSFET; 200В; 90А; 390Вт; D2PAK,TO263; 95нс

Немає в наявності
Код товару: IXFA90N20X3-TRL
336,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXFA90N20X3-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 78нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 12,8мОм
Потужність розсіювання: 390Вт
Струм стока: 90А
Технологія: HiPerFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 95нс
Роз’єм: M8; вилка; PIN: 3; штекерний; промислова; 60В; прямий; IP67
Роз’єм: M8; вилка; PIN: 3; штекерний; промислова; 60В; прямий; IP67

522,68 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Зовнішній діаметр проводу:
3,5...4,8мм
Резистор: thick film; 200мкОм; SMD; 3921; 12Вт; ±1%; CSS; -55÷170°C
Резистор: thick film; 200мкОм; SMD; 3921; 12Вт; ±1%; CSS; -55÷170°C

53,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
3921
Корпус - мм:
10052
Недоступний
Для передачі даних; -55÷125°C; HF-U; 100ВDC; 7,5А; 100пФ
Для передачі даних; -55÷125°C; HF-U; 100ВDC; 7,5А; 100пФ

16693,51 грн

Ємність:
0,1нФ
Максимальна напруга:
100В DC
Максимальний струм:
7,5А
Робоча температура:
-55...125°C
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 2кБSRAM; QFN-S28; DSPIC; 0,65мм
IC: мікроконтролер dsPIC; 32кБ; 2кБSRAM; QFN-S28; DSPIC; 0,65мм

218,58 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PPS; PWM; rail-to-rail; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C; IrDA; JTAG; LIN; SMBus; SPI; UART
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 14бит; 65Мsps; VQFN48; 1,8÷3,3ВDC
IC: перетворювач D/A; 14бит; 65Мsps; VQFN48; 1,8÷3,3ВDC

0,00 грн

Інтерфейс:
SPI
Корпус:
VQFN48
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
1,8...3,3В DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V

72,23 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
4,6мм
Резистор: thin film; 280Ом; SMD; 1206; 333мВт; ±0,02%; -65÷150°C
Резистор: thin film; 280Ом; SMD; 1206; 333мВт; ±0,02%; -65÷150°C

64,62 грн

Допуск:
±0,02%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD