Транзистор: N-MOSFET; 20В; 5А; 1,25Вт; TSMT6

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RUQ050N02TR
9,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 371
Код товару: RUQ050N02TR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: TSMT6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 30мОм
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0806; 18мкГн; 140мА; R: 5,2Ом; ±20%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 0806; 18мкГн; 140мА; R: 5,2Ом; ±20%; LQH

4,24 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
18мкГн
Корпус - дюйм:
0806
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -18А; 31Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -18А; 31Вт; MLP8

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
53нКл
Корпус:
MLP8
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 8; гніздовий; промислова; прямий; IP65,IP67
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 8; гніздовий; промислова; прямий; IP65,IP67

2928,92 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
10м
Електричний монтаж:
проводи
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 360мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 360мВт; SOT23

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А

11160,68 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
65В
Струм стока:
6А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-JFET; польовий; 30В; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 30В; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

22,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8