Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIR422DP-T1-GE3
84,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIR422DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 48нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 6,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 22,2Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 73А; Idm: 412А; 267Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 73А; Idm: 412А; 267Вт

2502,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
TO247-3
Недоступний
Кінцевий датчик; NO + NC; 10А; макс.400ВAC; M20; IP65; -30÷80°C
Кінцевий датчик; NO + NC; 10А; макс.400ВAC; M20; IP65; -30÷80°C

3901,42 грн

Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Кількість монтажних отворів:
4
Клас герметичності:
IP65
Конфігурація виходу:
NO + NC
Реле: електромагнітнe; 300А; бістабільне,силове; 8Ом; AgSnO2
Реле: електромагнітнe; 300А; бістабільне,силове; 8Ом; AgSnO2

14540,69 грн

Висота:
55,5мм
Макс. струм контактів:
300А
Матеріал контакту:
AgSnO2
Модель реле:
бістабільне; силове
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 63А; Полюси: 3
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 63А; Полюси: 3

9335,41 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Кількість полюсів:
3
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Кінцевий датчик; NO + NC; 10А; макс.240ВAC; проводи; 1м; IP67
Кінцевий датчик; NO + NC; 10А; макс.240ВAC; проводи; 1м; IP67

1612,39 грн

Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Довжина відводів:
1м
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V

126,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В

5,07 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA

363,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK

257,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
407нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,8нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-15В