Транзистор: N-MOSFET; 250В; 30А; 355Вт; TO220-3; 315нс

Немає в наявності
Код товару: IXTP30N25L2
694,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTP30N25L2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 130нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 0,14Ом
Потужність розсіювання: 355Вт
Струм стока: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 315нс
Недоступний
Діод: TVS; 20кВт; 300,3В; 49А; односпрямована; ±5%; P600; 20KPA
Діод: TVS; 20кВт; 300,3В; 49А; односпрямована; ±5%; P600; 20KPA

816,02 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
256В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; SMT; 3A; 100V

108,34 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: HDC; Модель: високий; Сальник: M32
Корпус для з’єднувачів: HDC; Модель: високий; Сальник: M32

3745,57 грн

Engineering PN:
Han B Hood top entry central lever M32
Модель роз’єму:
високий
Різьба сальника:
M32
Тип корпусу для з’єднувачів:
HDC
Недоступний
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,36 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD

16,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 47мкФ; 6,3ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 47мкФ; 6,3ВDC; ±20%

2,35 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
5,7мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Конденсатор: керамічний; 1мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 1мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603

6,34 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт

85,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB

181,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
79нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 51А; Idm: 161А; 362Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 51А; Idm: 161А; 362Вт

679,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
70нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
91нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT