Транзистор: N-MOSFET; 300В; 150А; 890Вт; D3PAK,TO268; 167нс

Немає в наявності
Код товару: IXFT150N30X3HV-TRL
870,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 400
Крок додавання: 400
Код товару: IXFT150N30X3HV-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 177нКл
Корпус: D3PAK; TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 8,3мОм
Потужність розсіювання: 890Вт
Струм стока: 150А
Технологія: HiPerFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 167нс
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0805; 150мВт; ±1%; -65÷150°C
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0805; 150мВт; ±1%; -65÷150°C

43,72 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V

197,67 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резонатор; 39пФ; SMD; ESR: 60Ом; CSTNR_GH5C; Доп: ±0,07%; Z: 60Ом
Резонатор; 39пФ; SMD; ESR: 60Ом; CSTNR_GH5C; Доп: ±0,07%; Z: 60Ом

12,86 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,07%
Ємність:
39пФ
Імпеданс:
60Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 100мОм; SOT227B; 100Вт; ±5%; 1,5кВ; -55÷125°C
Резистор: thick film; 100мОм; SOT227B; 100Вт; ±5%; 1,5кВ; -55÷125°C

2870,63 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±5%
Корпус:
SOT227B
Опір:
0,1Ом
Конденсатор: керамічний; 470нФ; 10ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; 470нФ; 10ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0201

3,67 грн

Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD