Транзистор: N-MOSFET; 30В; 22Вт; HSOP8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RS1E130GNTB
16,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 230
Код товару: RS1E130GNTB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 7,9нКл
Корпус: HSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 11,7мОм
Потужність розсіювання: 22Вт
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА

449,19 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
84мА
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

10,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Корпус для з’єднувачів: D-Sub
Корпус для з’єднувачів: D-Sub

6640,28 грн

Тип корпусу для з’єднувачів:
D-Sub
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; IP20
Диференційний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; IP20

2212,37 грн

Вид вимикача:
тип A
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61009
Диференціальний струм:
30мА
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 1,3мФ; 25ВDC; Ø18x25мм; -10÷30%
Конденсатор: електролітичний; THT; 1,3мФ; 25ВDC; Ø18x25мм; -10÷30%

134,31 грн

Виводи:
осьові
Висота:
25мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
-10...30%
Аксесуари: з'єднувальний кабель
Аксесуари: з'єднувальний кабель

7697,04 грн

Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 2220

193,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK