Транзистор: N-MOSFET; 30В; 4,5А; 1,25Вт; TSMT6

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RSQ045N03HZGTR
17,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 220
Код товару: RSQ045N03HZGTR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 6,8нКл
Корпус: TSMT6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 38мОм
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 4,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: power switch; low-side; 1,3А; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT23F
IC: power switch; low-side; 1,3А; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT23F

52,58 грн

Вид виходу:
N-Channel
Вид об'єднаної схеми:
low-side
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
1,3А
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик

1857,58 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 10В; 97,4А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 10В; 97,4А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

85,53 грн

Зворотна напруга макс.:
9В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; передавач; на відбиття
Датчик: фотоелектричний; передавач; на відбиття

7356,83 грн

Вид датчика:
передавач
Спосіб спрацювання:
на відбиття
Тип датчика:
фотоелектричний
Недоступний
Енкодер: абсолютний; Uживл: 12÷24ВDC; 720імп./об; OUT: PNP; IP65
Енкодер: абсолютний; Uживл: 12÷24ВDC; 720імп./об; OUT: PNP; IP65

39453,93 грн

Властивості датчиків:
вал 10мм
Зовнішні розміри:
Ø60x85мм
Клас герметичності:
IP65
Конфігурація виходу:
PNP
Недоступний
Tap: metric; M33; fine thread,right hand thread; 1.5; L: 160mm
Tap: metric; M33; fine thread,right hand thread; 1.5; L: 160mm

7648,89 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права; тонка нитка
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для крізних отворів
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 24; SMT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 24; SMT; 3A; 150V

326,91 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
туба
Довжина відводів:
2,1мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

697,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170мА; 360мВт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170мА; 360мВт; SOT23-3

16,47 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
2,1нКл
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 20А; 20Вт; DPAK,TO252
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 20А; 20Вт; DPAK,TO252

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252