Транзистор: N-MOSFET; 30В; 8мА; 360мВт

Немає в наявності
Код товару: MV2N4861UB/TR
4744,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Код товару: MV2N4861UB/TR
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 60Ом
Потужність розсіювання: 0,36Вт
Струм стока: 8мА
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10000пФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10000пФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 0201

7,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 20МГц; GPIO,ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 20МГц; GPIO,ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD

126,08 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog
Інтерфейс:
GPIO; ICSP
Недоступний
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 8А; Igt: 25мкА; TO220AB; THT
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 8А; Igt: 25мкА; TO220AB; THT

0,00 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220AB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 500В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 500В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

2,70 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK