Транзистор: N-MOSFET; 30В; 9А; автомобільна галузь

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SSM6K504NU,LF(B
15,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 239
Код товару: SSM6K504NU,LF(B
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 19,5мОм
Струм стока: 9А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 12В; SMD; DO213AA; 50нА
Діод: зенера; 500мВт; 12В; SMD; DO213AA; 50нА

1168,27 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
12В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Tap: inch; UNC 1 3/8"; right hand thread; 6; L: 150mm; finishing
Tap: inch; UNC 1 3/8"; right hand thread; 6; L: 150mm; finishing

4365,19 грн

Type of tap:
дюймове
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 250В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 250В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0603

4,69 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1,6пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 10кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

35,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ

5765,34 грн

Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
Y4-M5
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8

34,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK