Транзистор: N-MOSFET; 40В; 410А; DFN5060-8

Name: Транзистор: N-MOSFET; 40В; 410А; DFN5060-8
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: RS7G200CGTB1
Price: 173.59 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: RS7G200CGTB1

173,59 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 24

Код товару:

RS7G200CGTB1

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

145нКл

Корпус:

DFN5060-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

40В

Струм стока:

410А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
330мм

Діелектрик:
X7R

Допуск:
±10%

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SC89

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
0,12мкКл

Корпус:
H2PAK-2

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
24,1нКл

Корпус:
PowerPAK® 1212-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
18нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
17нКл

Корпус:
VSONP8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD