Транзистор: N-MOSFET; 40В; 80А; 76Вт; TO252; автомобільна галузь

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RD3G08DBLHRBTL
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 79
Код товару: RD3G08DBLHRBTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 28нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Потужність розсіювання: 76Вт
Струм стока: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 909кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 909кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
909кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 43Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED
Резистор: thick film; 43Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 187Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 187Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

1584,52 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 30В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 30В; -55÷155°C

0,54 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 2,49кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,49кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
2,49кОм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 30А; Idm: 111А; 268Вт

350,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
10,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD