1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; 45В; 2,5А; 1Вт; TSMT3; автомобільна галузь

Транзистор: N-MOSFET; 45В; 2,5А; 1Вт; TSMT3; автомобільна галузь
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RSR025N05HZGTL
14,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 251
Код товару: RSR025N05HZGTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 3,6нКл
Корпус: TSMT3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 45В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 2,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 4; 10кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 4; 10кА

5389,01 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 10А; 0-1; для вбудовування
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 10А; 0-1; для вбудовування

2484,80 грн

Кількість всіх позицій:
2
Кількість полюсів:
1
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP65 спереду
Недоступний
Резистор: thick film; 681Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 681Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 191кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 191кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 62кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 62кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,1%; -55÷155°C

1,01 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1752,41 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,42А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6