Транзистор: N-MOSFET; 550В; 18,1А; 92Вт; DPAK; автомобільна галузь

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPD50R280CE
84,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 38
Код товару: IPD50R280CE
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 32,6нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 550В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Потужність розсіювання: 92Вт
Струм стока: 18,1А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 4320; 5Вт; ±5%; SP; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 4320; 5Вт; ±5%; SP; 300В; -55÷155°C

16,60 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4320
Корпус - мм:
1150
Недоступний
Резистор: thin film; 1,8кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,8кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перемикач: кулачковий головний; Фікс.поз: 2; 20А; OFF-ON; Полюси: 2
Перемикач: кулачковий головний; Фікс.поз: 2; 20А; OFF-ON; Полюси: 2

3468,71 грн

Властивості перемикачів:
блокується навісним замком
Зовнішні розміри:
137x80x110мм
Кількість полюсів:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Недоступний
Резистор: thin film; 1,58кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,58кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: metal film; 825Ом; 250мВт; ±1%; MFS; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: metal film; 825Ом; 250мВт; ±1%; MFS; -55÷155°C; 100ppm/°C

1,93 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,7мм
Довжина:
3,2мм
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK