1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 14А; 132Вт; DPAK,TO252

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 14А; 132Вт; DPAK,TO252
Немає в наявності
Код товару: R6014YND3TL1
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 37
Код товару: R6014YND3TL1
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,26Ом
Потужність розсіювання: 132Вт
Струм стока: 14А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Насадка: Phillips-bit; PH1; 1/4"; 37мм; хром-ванадієва сталь
Насадка: Phillips-bit; PH1; 1/4"; 37мм; хром-ванадієва сталь

38,01 грн

Довжина насадки:
37мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Модель:
коротка
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® 150; H05VV5-F; 34G1,5мм2; неекранований; Cu; сірий
Провід; ÖLFLEX® 150; H05VV5-F; 34G1,5мм2; неекранований; Cu; сірий

1061,84 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 910пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 910пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,58 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 80В; 500мА; 3Вт; TO39
Транзистор: NPN; біполярний; 80В; 500мА; 3Вт; TO39

1649,14 грн

Корпус:
TO39
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
80В
Поляризація:
біполярний
Недоступний
IC: інтерфейс; 400Мбіт/с; LVTTL; 3÷3,6ВDC; LVDS; SMD; TSSOP16; Ch: 2
IC: інтерфейс; 400Мбіт/с; LVTTL; 3÷3,6ВDC; LVDS; SMD; TSSOP16; Ch: 2

220,48 грн

Вид об'єднаної схеми:
інтерфейс лінії; контролер лінії; лінійний приймач
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
differential; high speed; low voltage
Інтерфейс:
LVDS
Резистор: thick film; 10мОм; 5Вт
Резистор: thick film; 10мОм; 5Вт

51,95 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
10мОм
Потужність:
5Вт
Тип резистора:
thick film
Недоступний
Резистор: thick film; 39Ом; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 39Ом; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

8,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

697,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170мА; 360мВт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170мА; 360мВт; SOT23-3

16,47 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
2,1нКл
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 20А; 20Вт; DPAK,TO252
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 20А; 20Вт; DPAK,TO252

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252