Транзистор: N-MOSFET; 600В; 70А; 770Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: R6070JNZ4C13
632,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 7
Код товару: R6070JNZ4C13
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 165нКл
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Потужність розсіювання: 770Вт
Струм стока: 70А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 16A/250ВAC; 10A/30ВDC; SPST-NO; D3V
Мікроперемикач SNAP ACTION; 16A/250ВAC; 10A/30ВDC; SPST-NO; D3V

54,48 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з коротким важелем
Довжина важеля:
14мм
Електрична стійкість:
100000 цикли
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 34мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 34мА

229,96 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
34мА
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 9,44В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 9,44В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

369,96 грн

Зворотна напруга макс.:
8,5В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 33Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ø5,5x16мм; осьові; L: 16мм
Резистор: вуглецевий; 33Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ø5,5x16мм; осьові; L: 16мм

4,43 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5,5мм
Довжина:
16мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,72 грн

Alias:
KGM21NR72A222KM
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 1206

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 11,1В; двоспрямована; Ch: 8; -55÷150°C; MDA
Діод: TVS; 3кВт; 11,1В; двоспрямована; Ch: 8; -55÷150°C; MDA

3337,89 грн

Зворотна напруга макс.:
10В
Кількість каналів:
8
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
11,1В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 19,5А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 19,5А; 35Вт; TO220FP

94,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3

69,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO262-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 40А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 40А; TO247

648,70 грн

Корпус:
TO247
Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Опір в стані провідності:
59мОм
Струм стока:
40А
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-3; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-3; автомобільна галузь

264,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3

360,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO220-3

174,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 28Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 28Вт; TO220FP

83,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT